CMLDM8120G TR
工場モデル | CMLDM8120G TR |
---|---|
メーカー | Central Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 401141 pcs |
データシート | CMLDM8120(G) |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 |
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$0.111 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | 8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 350mW (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | CMLDM8120G TR PBFREE CMLDM8120G TR-ND CMLDM8120GTR |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 19 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 200pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 860mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 860mA (Ta) |
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