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CMLDM8120G TR

工場モデル CMLDM8120G TR
メーカー Central Semiconductor
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
パッケージ SOT-563
株式 401141 pcs
データシート CMLDM8120(G)
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000
$0.111
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのCentral Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。401141のCentral Semiconductor CMLDM8120G TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) 8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-563
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
電力消費(最大) 350mW (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
他の名前 CMLDM8120G TR PBFREE
CMLDM8120G TR-ND
CMLDM8120GTR
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 19 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 200pF @ 16V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3.56nC @ 4.5V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
詳細な説明 P-Channel 20V 860mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-563
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 860mA (Ta)

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CMLDM8120G TR データテーブルPDF

データシート